Гігант процесорної індустрії Intel, у співпраці з технологічним конгломератом SoftBank, активно доопрацьовує новий стандарт пам’яті Z-Angle Memory (ZAM). Ця ініціатива спрямована на прямий виклик домінуючим на ринку рішенням типу High Bandwidth Memory (HBM) та пропонує інноваційний підхід до зберігання й доступу до даних.
Новий стандарт пам’яті ZAM: Амбітні цілі та терміни
ZAM обіцяє подвоїти пропускну здатність порівняно з попереднім поколінням HBM4. Більше того, його показники наближаються до характеристик майбутнього стандарту HBM4E, який, за прогнозами, з’явиться наступного року. Проте, варто зазначити, що повне завершення розробки ZAM заплановано не раніше 2028-2030 років. Це означає, що до етапу масового виробництва ще чималий шлях, і конкурентам є час для підготовки.
Технічні деталі та архітектурні переваги ZAM
На нещодавній конференції VLSI Symposium 2026, Intel та SoftBank представили нові подробиці щодо проєкту ZAM, які значно прояснюють його концепцію. Технологія передбачає 9-шарову структуру. Кожен окремий стек пам’яті буде містити 8 модулів DRAM, розділених надтонкими (3 мкм) кремнієвими прокладками. Центральним елементом стане основна підкладка, інтегрована з логічним контролером, який забезпечуватиме взаємодію з усіма дев’ятьма модулями пам’яті.
Інноваційні міжз’єднання та продуктивність
Ключовим досягненням ZAM є використання 13,7 тисяч міжз’єднань через кремнієві перехідні отвори (TSV) на кожному з трьох основних рівнів, що задіюють гібридне з’єднання. Кожен такий рівень надає 1,125 ГБ пам’яті, що у сумі дає 10 ГБ на стек. Повноцінний корпус, що містить кілька стеків, може досягати 30 ГБ. Розмір одного стека становить 171 мм², а його пропускна здатність вражає — 0,25 Тб/с на квадратний міліметр, що еквівалентно 5,3 ТБ/с на кожен стек.
Ключові переваги ZAM: Оптимізація для ШІ
Серед вагомих переваг ZAM варто виділити значно вищу щільність пропускної смуги (близько 0,25 Тб/с/мм²), яка перевищує показники HBM. Додатковою перевагою є низьке енергоспоживання, досягнуте завдяки ретельній оптимізації. Важливою інновацією є покращене тепловідведення: вертикальна архітектура ZAM ефективніше керує тепловими потоками, тоді як багатошаровість HBM часто призводить до проблем з перегрівом.
Архітектура ZAM пропонує надвисоку щільність шарів, підтримуючи понад 9 шарів з надзвичайно тонкими кремнієвими елементами та наскрізними міжз’єднаннями TSV. Новий стандарт пам’яті також передбачає бездротове введення/виведення за допомогою магнітного поля та вдосконалену технологію об’єднання каналів для кращої масштабованості. Архітектура ZAM спеціально оптимізована під потреби штучного інтелекту (ШІ), покликана усунути вузькі місця HBM, особливо в завданнях, пов’язаних з генеративним ШІ.
Думка ЧАС НОВИН: Розробка Intel ZAM є значним кроком у розвитку пам’яті, що може суттєво вплинути на продуктивність систем штучного інтелекту та дата-центрів. Ця технологія, якщо буде успішно впроваджена, здатна переформатувати ринок пам’яті, запропонувавши користувачам та розробникам нові можливості для обробки даних.
За матеріалами: itc.ua